講演番号 |
題目/著者 |
C-2-1 | 0.13μm SiGe BiCMOSを使用したD帯カスコード増幅器
○伊東正治, 和田 靖, |
C-2-10 | GaN-HEMTのTCADベース大信号コンパクトモデル
○山口裕太郎, 大塚友絢, 新庄真太郎, 山中宏治, |
C-2-11 | 表皮効果を考慮したゲート電極を用いたFETモデリングの検討
作野圭一, 丹波憲之, ○原 信二, 近藤 崇, 藤原康平, |
C-2-12 | GaN HEMTのNFとリカバリ特性のバイアス依存性
◎久樂 顕, 山口裕太郎, 加茂宣卓, 新庄真太郎, |
C-2-13 | ダイオード電流の飽和特性のモデル化
◎高屋凌平, 廣瀬裕也, 坂井尚樹, 伊東健治, |
C-2-14 | 5.8GHz帯10W級倍電圧整流器MMIC
◎廣瀬裕也, 坂井尚貴, 伊東健治, |
C-2-15 | GaAs E-pHEMT gated anode diodeを用いる5.8 GHz帯5Wレクテナ
◎古谷尚季, 内山海渡, 小松郁弥, 桔川洸一, 坂井尚貴, 伊東健治, |
C-2-16 | GaAs E-pHEMT GADを用いる準ミリ波帯1W整流器MMIC
◎角谷直哉, 坂井尚貴, 伊東健治, |
C-2-17 | ダイオードの閾値と降伏電圧を考慮した倍電流整流回路の解析
○坂井尚貴, 伊東健治, |
C-2-18 | 300GHz帯送信機用I/Q相間位相誤差自動補正機構
◎田島尚弥, 高野恭弥, |
C-2-19 | Magic-Tを用いた反射型移相器の反射・透過特性に関する実験評価
◎田村 成, 新井宏之, |
C-2-2 | 3入力電力レベル最適化設計による3.7 GHz GaN HEMT ドハティ増幅器
◎山本薫臣, 本城和彦, 石川 亮, |
C-2-20 | イメージ抑圧ミキサと2給電円偏波アンテナを一体化したダウンコンバージョン型アクティブアンテナの試作評価
◎川﨑龍青, 田中高行, 豊田一彦, |
C-2-21 | Design of Ku-Band Push-Push Oscillator Employing Spiral Microstrip Resonator Array
○Elton Lima, Takayuki Tanaka, Ichihiko Toyoda, |
C-2-22 | 2倍波で半波長の線路共振器を用いた4次高調波Push-Push発振器の位相雑音特性改善
○竹口雄章, 田中高行, 豊田一彦, |
C-2-23 | 準分布定数線路共振器を用いたPush-Push VCOの試作評価
○若木田康輝, Maodudul Hasan, 田中高行, 豊田一彦, |
C-2-3 | 高効率なGaNスイッチング型エンベロープ増幅器を実現するシリコンドライバ回路
○竹添慎司, 森野芳昭, 山本 航, 坂田修一, 齋木研人, 堤 恒次, |
C-2-4 | 2入力GaN増幅器のドハティ・アウトフェージング増幅器モードの超高速測定
◎鈴木貴登, 坂田修一, 小松崎優治, 山中宏冶, 加保貴奈, |
C-2-5 | GaNドハティ増幅器の5G NR TDD信号のEVM測定評価
○難波八尋, 坂田修一, 小松崎優治, 山中宏冶, 加保貴奈, |
C-2-6 | 整合回路レス設計を用いた5.8GHz 2段パワーアンプの設計評価
○丹波憲之, 原 信二, |