| 大会名称 |
|---|
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
| 2023 |
| 発行日 |
| 2023-02-28 |
| セッション番号 |
| C-2A |
| セッション名 |
| マイクロ波A |
| 講演日 |
| 2023/3/7 |
| 講演場所(会議室等) |
| 5号館 5351教室 |
| 講演番号 |
| C-2-1 |
| タイトル |
| 0.13μm SiGe BiCMOSを使用したD帯カスコード増幅器 |
| 著者名 |
| ○伊東正治, 和田 靖, |
| キーワード |
| SiGe, D帯, カスコード, 増幅器 |
| 抄録 |
| 近年の半導体プロセスの微細化により、サブテラヘルツ帯に適用可能なSi系半導体が増えてきている。その中でも、SiGe HBTは次世代の無線通信周波数として期待されるD帯でも十分な性能を有し得る。今回、0.13μm SiGe BiCMOS（最大発振周波数450GHz）を使用してD帯カスコード増幅器を試作した。ベース接地段の接地度改善により良好な周波数特性を確認した。また、基本ブロックの並列化により十分な高出力電力化が見込めることを確認した。 |
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