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2002年 ソサイエティ大会
| 講演番号 | 題目/著者 |
|---|---|
| KJ00003408231.pdf | 表紙 , |
| KJ00003408232.pdf | 目次 , |
| KJ00003408233.pdf | C-5-1 継電器搭載電気接点の損傷とバウンスと動作・復旧時間 : (その6)Dc42V-5Ω抵抗回路内での閉成責務Ag/Cd012wt%接点にできた突起の観察) 窪野 隆能, 中山 崇嗣, 渡邊 隆志, 関川 純哉, |
| KJ00003408234.pdf | C-5-2 Pdコンタクト開離時アークのガス相移行とブリッジ現象との関連について : 閉成時電流の増加時と減少時の比較 菅波 良征, 吉田 清, 高橋 篤夫, |
| KJ00003408235.pdf | C-5-3 自動調芯システムにおける面合わせ方法の検討 大津 剛, 石村 清光, 鈴木 一夫, 吉田 英治, |
| KJ00003408236.pdf | C-6-1 Hot-Wireを用いたGaAs表面窒化とc-GaNのエピタキシャル成長 森本 貫太郎, 原島 正幸, 金内 海, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
| KJ00003408237.pdf | C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察 原島 正幸, 成田 克, 犬伏 宗和, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
| KJ00003408238.pdf | C-6-3 ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体V族添加CuInS_2結晶の結晶成長と評価 小牧 弘典, 赤木 洋二, 吉野 賢二, 横山 宏有, 前田 幸治, 碇 哲雄, |
| KJ00003408239.pdf | C-6-4 GeSe_2ガラスの核生成過程における2段階等温アニール効果 甲斐 康之, 境 健太郎, 横山 宏有, 前田 幸治, 碇 哲雄, |
| KJ00003408240.pdf | C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認 水本 卓, 前田 幸治, 境 健太郎, 吉野 賢二, 碇 哲雄, |
| KJ00003408241.pdf | C-6-6 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出 多田 晋, 佐藤 庄一郎, 伊藤 敦史, 福山 敦彦, 碇 哲雄, |
| KJ00003408242.pdf | C-6-7 圧電素子-光熱信号の温度依存性解析による半絶縁GaAs結晶中の深い電子準位の評価 大田 将志, 伊藤 敦史, 福山 敦彦, 碇 哲雄, |
| KJ00003408243.pdf | C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位 多田 真樹, 伊藤 敦史, 福山 敦彦, 碇 哲雄, |
| KJ00003408244.pdf | C-6-9 圧電素子-光熱信号の温度依存性によるNiを拡散させたn型Siの深い準位の評価 今井 謙治, 佐藤 庄一郎, 福山 敦彦, 碇 哲雄, |
| KJ00003408245.pdf | C-6-10 ZnS : Er薄膜における新しい発光スペクトル 平手 孝士, 小野 俊充, 佐藤 知正, |
| KJ00003408246.pdf | C-6-11 ITO/ZnS : Mn/p-Si型DCEL素子のSi表面へのレーザー照射効果 佐藤 知正, 菅野 和弘, 平手 孝士, |
| KJ00003408247.pdf | C-6-12 金熱圧着接合によるシリコン/バルクPZTのユニモルフ構造の形成 牛尾 浩司, 島本 延亮, 藤田 孝之, 前中 一介, 高山 洋一郎, |
| KJ00003408248.pdf | C-6-13 ダイレクトボンドによるSiO_2基板へのCe : YIG薄膜形成 大田 修, 野毛 悟, 宇野 武彦, |
| KJ00003408249.pdf | C-6-14 超音波センサの光アクセス化に関する実験的検討 城石 誠, 野毛 悟, 宇野 武彦, |
| KJ00003408250.pdf | C-6-15 MEMS光学デバイスとの融合を目的とした透過性素子の試作と評価 上田 英喜, 前田 耕平, 藤田 孝之, 前中 一介, 高山 洋一郎, |