| 大会名称 |
|---|
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
| 2023 |
| 発行日 |
| 2023-02-28 |
| セッション番号 |
| C-2A |
| セッション名 |
| マイクロ波A |
| 講演日 |
| 2023/3/7 |
| 講演場所(会議室等) |
| 5号館 5351教室 |
| 講演番号 |
| C-2-16 |
| タイトル |
| GaAs E-pHEMT GADを用いる準ミリ波帯1W整流器MMIC |
| 著者名 |
| ◎角谷直哉, 坂井尚貴, 伊東健治, |
| キーワード |
| GaAs E-pHEMT, 準ミリ波帯, 倍電圧整流器 |
| 抄録 |
|
GaAs E-pHEMT Gated anode diode を用いて26GHz帯1W倍電圧整流器MMICを設計した。 測定結果は、26GHzにおいて入力電力29.5dBmのとき整流効率62.2%、出力電圧31.1Vである。 GADにより準ミリ波帯において大電力・高効率整流が可能であることを示した。 |
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