| 大会名称 |
|---|
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
| 2023 |
| 発行日 |
| 2023-02-28 |
| セッション番号 |
| C-2A |
| セッション名 |
| マイクロ波A |
| 講演日 |
| 2023/3/7 |
| 講演場所(会議室等) |
| 5号館 5351教室 |
| 講演番号 |
| C-2-12 |
| タイトル |
| GaN HEMTのNFとリカバリ特性のバイアス依存性 |
| 著者名 |
| ◎久樂 顕, 山口裕太郎, 加茂宣卓, 新庄真太郎, |
| キーワード |
| リカバリ特性, 雑音指数, 窒化ガリウム |
| 抄録 |
|
従来のGaAs LNAを高耐電力なGaN LNAに置き換えることが検討されている．置き換えによりフロントエンドモジュールのLNA前段のリミッタを削除することが可能になり，モジュールを低NF化することが期待されている．しかしながら，GaNはトラップの影響によってリカバリ特性を持つため，高い電力が入力されるシステムではGaN LNAを適用することが難しいという課題がある． 本報告では、ユニットセルトランジスタにてNF特性とリカバリ特性のバイアス依存性を評価した. 結果として、GaN LNAにおけるNF特性とリカバリ特性の両立ためには、NFminが最小となるバイアス点よりもIdqが高いバイアス条件を使用することが望ましいことが分かった. |
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