| 講演番号 |
題目/著者 |
| C-2-1 | AMC基板上の折り返しダイポールアンテナを用いる2.4GHz帯高感度レクテナ
安丸暢彦, ◎入口翔太, 伊東健治, 田村俊樹, 坂井尚貴, 牧野 滋, |
| C-2-10 | スタックFETを用いた2-12GHz帯高耐電力GaN MMICスイッチ
○半谷政毅, 神岡 純, 幸丸竜太, 三輪真一, 加茂宣卓, |
| C-2-11 | コレクタ接地されたバイポーラトランジスタを持つ負性抵抗発振器の不要発振の抑制
◎山本裕生, 佐薙 稔, |
| C-2-12 | ゲート負荷容量部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討
○竹添慎司, 森野芳昭, 津留正臣, |
| C-2-13 | ラジアルスタブをACグランドとして用いた130GHz帯CMOS増幅器の高利得化
◎△町井大輝, 本良瑞樹, 亀田 卓, 末松憲治, |
| C-2-14 | 1ポートCRLH線路から成る高調波処理回路を用いる79%電力付加効率2GHz帯GaN HEMT高出力増幅器
◎飯坂尚章, 田中愼一, |
| C-2-15 | クロスカップルキャパシタを用いたAMPM補償に関する検討
○鳥居拓真, 山中宏治, |
| C-2-16 | 最終段をドハティ増幅器とする2段増幅器におけるドライバ段増幅器の負荷変調
○坂田修一, 小松崎優治, 山中宏治, |
| C-2-17 | 2入力非対称ドハティ増幅器の効率・線形性の実測検討
◎髙木裕貴, 太田喜元, 長谷川直輝, |
| C-2-18 | 2電力レベル設計準ミリ波帯GaN HEMT MMICドハティー増幅器
○石川 亮, 瀬下拓也, 高山洋一郎, 本城和彦, |
| C-2-19 | ミリ波帯ドハティ増幅器実現に向けたオフセット解析
○清水駿斗, 濱野皓志, 西川健二郎, |
| C-2-2 | 短絡スタブ装荷ダイポール装荷5.8GHz帯1Wレクテナ
○坂井尚貴, 野口啓介, 伊東健治, |
| C-2-20 | 出力電圧範囲を最適化した高速高効率GaNスイッチング型エンベロープ増幅器
○齋木研人, 坂田修一, 小松崎優治, 山中宏治, |
| C-2-3 | PN-Body Tied(PNBT) SOI-FET Diode整流器の周波数特性
◎安丸暢彦, 伊東健治, 坂井尚貴, 栁 遼太, 森 貴之, 井田次郎, |
| C-2-4 | Cross coupled CMOS pairによる整流用ダイオードの特性
◎廣野敦哉, 伊東健治, 坂井尚貴, |
| C-2-5 | E-pHEMTによるGADを用いる20GHz帯倍電圧整流器MMIC
◎小松郁弥, 坂井尚貴, 伊東健治, |
| C-2-6 | A Study on the Fundamental Limit of Integrated Rectifiers for Low Cost Microwave Wireless Power Transfer
◎Takuma Hashimoto, Toru Tanzawa, |
| C-2-7 | RF環境発電への応用に向けたマルチ共振モード広帯域高感度整流器
◎大野 桂, 田中愼一, |
| C-2-8 | 40nm CMOSプロセスによるW帯振幅・位相共用検波回路
○堤 恒次, 津留正臣, |
| C-2-9 | 出力に逓倍器を設けたベクトル合成型移相器の移相精度最適化手法の検討
○山本 航, 堤 恒次, 津留正臣, |
