| 大会名称 |
|---|
| 2021年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2021G |
| 開催年 |
| 2021 |
| 発行日 |
| 2021-02-23 |
| セッション番号 |
| C-2A |
| セッション名 |
| マイクロ波A |
| 講演日 |
| 2021/3/9 |
| 講演場所(会議室等) |
| Meeting 39 |
| 講演番号 |
| C-2-12 |
| タイトル |
| ゲート負荷容量部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討 |
| 著者名 |
| ○竹添慎司, 森野芳昭, 津留正臣, |
| キーワード |
| スタック増幅器, SOI CMOS, 高効率化 |
| 抄録 |
| 半導体プロセスの微細化技術の進展は，CMOSデバイスの高周波性能を向上させる一方，トランジスタの耐圧低下を引き起こし，出力電圧振幅を制限する．そのため高周波帯におけるCMOS電力増幅器では，高出力化が課題となる．この課題を解決する手法として，トランジスタをスタック(積み重ね)することで耐圧を確保しつつ高出力化を可能としたスタック増幅器が提案されている．本稿ではスタック増幅器において，電力効率向上を目的に，スタック増幅器を構成するゲート負荷容量の終端に高調波処理を施す高調波処理型スタック増幅器を提案する．45nm SOI CMOSを用いて本提案構成の高調波処理型差動3スタック増幅器を設計した結果，従来と比較して電力付加効率が6.3ポイント向上し56.8%となることをシミュレーションにより確認した．これにより，本提案構成を用いることでスタック増幅器の電力効率向上が期待できる． |
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