2018年 ソサイエティ大会

講演番号 題目/著者
C-2-160GHz帯ダイレクトRFアンダーサンプリング受信用45nm SOI CMOS S/H IC

○呂　行,  吉野長浩,  本良瑞樹,  亀田　卓,  末松憲治,  

C-2-10A Novel Ku-Band Push-Push Oscillator with an Improved Synchronization Mechanism

○Elton N. Lima,  Takayuki Tanaka,  Ichihiko Toyoda,  

C-2-115G向けKa帯GaN高効率ドハティ増幅器MMIC

◎中谷圭吾,  山口裕太郎,  小松崎優治,  新庄真太郎,  

C-2-12小型2倍波抑圧回路を有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA

◎神岡　純,  桑田英悟,  中原和彦,  加茂宣卓,  半谷政毅,  新庄真太郎,  

C-2-13高効率GaNソフトスイッチング型増幅器

○坂田修一,  小松崎優治,  新庄真太郎,  Asbeck Peter,  

C-2-14GaNソフトスイッチング電源変調器を用いた3.6-4.0GHz帯高効率エンベロープトラッキング増幅器

○小松崎優治,  Sandro Lanfranco,  Tapio Kolmonen,  Olli Piirainen,  Jarno K. Tanskanen,  坂田修一,  Rui Ma,  新庄真太郎,  

C-2-15ゲート電圧制御回路を用いた低歪電力増幅器

◎鳥居拓真,  半谷政毅,  稲垣隆二,  新庄真太郎,  

C-2-16マイクロ波加熱向け2.45GHz ISM 帯 450W 高効率GaN パレット型増幅器

◎杉谷拓海,  弥政和宏,  半谷政毅,  河村由文,  西原　淳,  新庄真太郎,  

C-2-1718GHz帯/28GHz帯GaN HEMT電力増幅器MMICの試作と特性評価

○安井　吏,  石川　亮,  本城和彦,  

C-2-18小セルシステム用コンカレントアンプの消費電力低減検討

○玉野井　健,  大田智也,  川崎敏雄,  木村重一,  清水昌彦,  馬庭　透,  鈴木俊秀,  

C-2-192.45GHz帯100W級高効率GaN-HEMT電力増幅器

○八木下洋平,  細田雅之,  曽我育生,  川野陽一,  作山誠樹,  

C-2-280 nm InP-HEMTテクノロジを用いた300 GHz帯多値変調トランシーバ用高アイソレーションミキサ

◎濱田裕史,  堤　卓也,  杉山弘樹,  松崎秀昭,  岡田健一,  野坂秀之,  

C-2-202倍波フィードバックを用いた2.6GHz GaNドハティ電力増幅器

○藤井憲一,  高木　直,  坪内和夫,  亀田　卓,  末松憲治,  

C-2-21CRLH線路スタブを用いたE級増幅器用高調波フィルターの検討

○浅見紘考,  田中愼一,  

C-2-22チップ内蔵樹脂基板技術を用いた3次元Si/GaN S帯送信モジュールの試作

○川崎健吾,  桑田英悟,  石橋秀則,  柴田博信,  石田　清,  前田和弘,  矢尾知博,  森　一富,  

C-2-23準ミリ波帯アンテナ一体型送受信モジュールの検討

○桂　勇男,  岸　正樹,  

C-2-24常温接合を用いた混成半導体集積回路HySICの試作

◎古瀬結貴,  薮田直人,  パク ヒョソン,  中岡俊裕,  内海　淳,  正光義則,  川崎繁男,  

C-2-25GaNパワーアンプを用いたマイクロ波加熱における吸収効率

○高橋雅和,  石崎俊雄,  

C-2-26Numerical Comparison of Radio Frequency Current and Microwave Energy for Transcatheter Denervation;Temperature Distribution Around the Device

◎Aditya Rakhmadi,  Kazuyuki Saito,  

C-2-3C-Ku 帯高耐電力送受切替GaN スイッチ

○幸丸竜太,  半谷政毅,  杉本篤生,  新庄真太郎,  

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