| 大会名称 |
| 2018年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2018S |
| 開催年 |
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2018
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| 発行日 |
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2018/8/28
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| セッション番号 |
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C-2A
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| セッション名 |
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マイクロ波A
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| 講演日 |
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2018/9/11
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| 講演場所(会議室等) |
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自然科学本館 2F 210講義室
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| 講演番号 |
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C-2-16
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| タイトル |
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マイクロ波加熱向け2.45GHz ISM 帯 450W 高効率GaN パレット型増幅器
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| 著者名 |
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◎杉谷拓海, 弥政和宏, 半谷政毅, 河村由文, 西原 淳, 新庄真太郎,
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| キーワード |
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高出力増幅器, マイクロ波加熱, GaN HEMT, 高調波処理
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| 抄録 |
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GaN HEMT を用いたマイクロ波加熱向け2.45GHz ISM 帯450W 高効率GaN パレット型増幅器について報告する。GaN 高出力増幅器の効率向上を目的として、GaN HEMT の入力側および出力側の両方に2 倍波処理回路を装荷した2.45GHz ISM 帯GaN パレット型増幅器を開発した。評価の結果、CW 動作条件において2.45GHz にて出力電力 450W (56.5 dBm)、効率70%の世界最高レベルの性能を得た。
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