| 大会名称 |
|---|
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
| 2023 |
| 発行日 |
| 2023-02-28 |
| セッション番号 |
| C-12 |
| セッション名 |
| 集積回路 |
| 講演日 |
| 2023/3/9 |
| 講演場所(会議室等) |
| 4号館 4104教室 |
| 講演番号 |
| C-12-22 |
| タイトル |
| 22-nm FDSOI CMOSを用いたD帯3段差動増幅器 |
| 著者名 |
| ○大島直樹, 桑原俊秀, 丹治康紀, 八山慎史, 國弘和明, |
| キーワード |
| D帯, FDSOI, CMOS, 増幅器 |
| 抄録 |
| Beyond 5G/6Gでは、広帯域を確保できるサブテラヘルツ帯を用いて100Gbps級の高速大容量通信を実現することが期待されている。100GHz超帯の増幅器として、特性的には化合物半導体が優れている一方、フェイズドアレーなど高密度実装が必要な無線通信機では、Si系半導体による集積化が有効である。本稿では、22nm FDSOI CMOSを用いて、D帯向けに構築した高精度モデルと、それを用いた3段差動増幅器の設計・評価に関して報告する。 |
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