| 大会名称 |
|---|
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
| 2023 |
| 発行日 |
| 2023-02-28 |
| セッション番号 |
| C-12 |
| セッション名 |
| 集積回路 |
| 講演日 |
| 2023/3/7 |
| 講演場所(会議室等) |
| 4号館 4104教室 |
| 講演番号 |
| C-12-1 |
| タイトル |
| ガンマ線照射によるフローティングゲート型とチャージトラップ 型の3D NAND フラッシュメモリの TID 特性の比較 |
| 著者名 |
| ◎小澤太希, 小林和淑, 古田 潤, |
| キーワード |
| フラッシュメモリ, トータルドーズ, ガンマ線 |
| 抄録 |
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本稿では, フローティングゲートフラッシュメモリ (FGF) とチャージトラップフラッシュメモリ (CTF) に γ 線照射によるトータルドーズ効果 (TID: Total Dose effect) 特性の測定を行った。TIDとは、放射線がデバイスに照射されることにより引き起こされる故障であり、宇宙向けのデバイスには対策が必須となる。照射前書き込みのFGF、CTFのエラー率はそれぞれ0.052％、0.027％に対して、ガンマ線照射後読み出すと、エラー率は大きく増加し、線量53 kradではFGF、CTFのエラー率はそれぞれ60％、 30％となる。起こるエラーはどちらもメモリセルのしきい値電圧が減少するエラーである。 また、CTFはFGFに比べて、室温放置でしきい値電圧がはやく回復し、エラー率が低下する。CTFはFGFより優れたTID耐性を持つという結果が得られた。 |
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