| 大会名称 |
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
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2023
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| 発行日 |
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2023-02-28
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| セッション番号 |
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C-10
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| セッション名 |
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電子デバイス
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| 講演日 |
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2023/3/10
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| 講演場所(会議室等) |
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3号館 3307教室
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| 講演番号 |
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C-10-6
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| タイトル |
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ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング動作
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| 著者名 |
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◎△白土智基, Niloy Saha, Seongwoo Kim, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠,
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| キーワード |
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ダイヤモンドMOSFET, バンドギャップ, スイッチング特性, スイッチング損失, 比誘電率
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| 抄録 |
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ダイヤモンドは, 5.47eVのバンドギャップを持つ半導体であり, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々は最近, SiCやGaNに匹敵する有能出力電力875MW/cm2やオフ耐圧3659Vなどの優れたパワー特性を報告した. しかし, 実用パワー回路応用にはスイッチング損失が重要である. そのため, 本研究では初めてのスイッチング特性測定を行い, スイッチング損失の導出及び評価を行った. デューティー比1%, 周波数100Hz の方形波を, ソース接地した素子にゲート電圧として入力し, 入出力電圧をオシロスコープにて測定を行った結果, ターンオン時間9.97ns,ターンオフ時間9.63nsという10ns以下の高速スイッチング動作を確認することができた.
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