| 大会名称 |
|---|
| 2023年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2023G |
| 開催年 |
| 2023 |
| 発行日 |
| 2023-02-28 |
| セッション番号 |
| C-10 |
| セッション名 |
| 電子デバイス |
| 講演日 |
| 2023/3/10 |
| 講演場所(会議室等) |
| 3号館 3307教室 |
| 講演番号 |
| C-10-3 |
| タイトル |
| Si基板上h-BN直接成膜技術とGraphene/h-BN構造を利用した平面型電子源の開発 |
| 著者名 |
| ◎山本将也, 村田博雅, 長尾昌善, 三村秀典, 根尾陽一郎, 村上勝久, |
| キーワード |
| 電子源, 六方晶窒化ホウ素, グラフェン |
| 抄録 |
| Graphene/h-BN/n-Si積層平面型電子源は，タングステン冷陰極を凌ぐエネルギー半値幅0.18 eVの高単色性電子ビームを放出可能である．本研究では，h-BNのSi基板上直接成膜技術と転写フリーのGraphene/h-BN/n-Si積層平面型電子源の開発を行った．成膜したh-BNは，ラマンスペクトル・光透過スペクトルにより評価し，Cu触媒上BNと同等レベルの光学特性を示した．転写フリーで作製した電子源は，シワやクラックのない滑らかな電子放出面を有し，3mA/cm2の大電流密度の電子放出を達成した． |
| 本文pdf |
|
PDF download
|