| 大会名称 |
|---|
| 2022年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2022G |
| 開催年 |
| 2022 |
| 発行日 |
| 2022-03-01 |
| セッション番号 |
| C-3/4 |
| セッション名 |
| 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2022/3/16 |
| 講演場所(会議室等) |
| Meeting 36 |
| 講演番号 |
| C-3/4-20 |
| タイトル |
| III-V/Siハイブリッド集積光デバイスに向けた非対称方向性結合器の多段接続による高効率結合構造の検討 |
| 著者名 |
| ◎佐藤孝憲, 内田啓太, 藤澤 剛, 御手洗拓矢, 平谷拓生, 沖本拓也, 石川 務, 河野直哉, 藤原直樹, 八木英樹, 齊藤晋聖, |
| キーワード |
| 異種材料集積, シリコンフォトニクス, 方向性結合器, 光導波路解析 |
| 抄録 |
| 機能の異なるIII-V族半導体を同一SOI基板上に集積するハイブリッド集積プラットフォーム技術の研究が近年盛んに進められている．これまで，多段テーパ構造を用いたInP系層/Si導波路間の光接続構造が提案されてきたが，高効率結合のためにはInP系導波路のテーパの先端幅を400nm以下に抑える必要があり，プロセスにおいて，高アスペクト比のドライエッチング加工を要求するため，難易度が高かった．本報告では，アスペクト比の改善を目的として，断熱テーパの代わりに方向性結合器を用いた高効率結合構造の検討を行った．また，方向性結合器を多段に接続した構造において，Si導波路の屈折率制御による，製造誤差補償についても検討を行い，少なくとも数十nm以上の導波路幅や導波路間隔の製造誤差が生じた場合でも，それによる過剰損失をCバンド全域で1～2dB程度に抑制できることを示した． |
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