| 大会名称 |
|---|
| 2021年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2021S |
| 開催年 |
| 2021 |
| 発行日 |
| 2021/8/31 |
| セッション番号 |
| C-12 |
| セッション名 |
| 集積回路 |
| 講演日 |
| 2021/9/15 |
| 講演場所(会議室等) |
| Meeting 17 |
| 講演番号 |
| C-12-19 |
| タイトル |
| P型とN型のFETサイズ比が異なるCMOS論理回路へのγ線照射の影響 |
| 著者名 |
| ○木村有佐, 吉田僚一郎, 安藤 幹, 大島佑太, 鍋屋信介, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田 孝, 石原 昇, 伊藤浩之, |
| キーワード |
| TID効果, MOSFET, リング発振IC |
| 抄録 |
| 宇宙，原子力・核融合施設等の放射線照射環境では半導体の故障や誤動作が問題となる．これは放射線によってMOSFETの特性を劣化させるTID(Total Ionizing Dose)効果が原因となっており，我々はこの影響を受け難いCMOS集積回路の構成法，設計法の検討を進めている． 本研究では，CMOS集積回路の動作に対するγ線照射影響を明確化するためにP型MOSFETとN型MOSFETのサイズ比の異なるCMOS遅延セル回路(CMOSインバータ・2入力NAND・3入力NAND・2入力NOR・3入力NOR)によるリング発振ICを0.18µmCMOSプロセスで試作し，放射線照射実験を実施した．その結果，P型MOSFETとN型MOSFETのサイズバランスによってTID効果による発振周波数影響が異なる事を確認し，耐放射線回路設計への指針を得た． |
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