| 大会名称 |
|---|
| 2021年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2021G |
| 開催年 |
| 2021 |
| 発行日 |
| 2021-02-23 |
| セッション番号 |
| C-10 |
| セッション名 |
| 電子デバイス |
| 講演日 |
| 2021/3/12 |
| 講演場所(会議室等) |
| Meeting 16 |
| 講演番号 |
| C-10-2 |
| タイトル |
| GaN HEMTの低周波Yパラメータ特性における表面トラップの影響に対するTCAD解析 |
| 著者名 |
| ◎大塚友絢, 山口裕太郎, 山中宏冶, 大石敏之, |
| キーワード |
| GaN HEMT, 低周波Yパラメータ, トラップ, 表面, TCAD |
| 抄録 |
| GaN HEMTにおける表面トラップが低周波Yパラメータ特性に与える影響についてTCADを用いて解析した。TCAD解析の結果、表面トラップによりY21の虚部に正のピークの特性が現れるが、Y22の虚部ではフラットな特性となることを確認した。さらに、GaN HEMTの低周波Yパラメータ測定結果がTCAD解析と同じ傾向であることを確認した。 |
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