| 大会名称 |
| 2020年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2020S |
| 開催年 |
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2020
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| 発行日 |
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2020/9/1
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| セッション番号 |
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C-8
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| セッション名 |
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超伝導エレクトロニクス
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| 講演日 |
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2020/9/17
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| 講演場所(会議室等) |
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Meeting 30
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| 講演番号 |
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C-8-12
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| タイトル |
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低消費電力単一磁束量子回路における論理ゲートのタイミングパラメータ解析
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| 著者名 |
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◎国吉真波, 長岡一起, 田中雅光, 山下太郎, 藤巻 朗,
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| キーワード |
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単一磁束量子回路, 低消費電力, タイミングパラメータ
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| 抄録 |
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単一磁束量子（SFQ）回路の消費電力は、バイアス電流供給に伴う静的な消費電力がその大部分を占めていることから、ジョセフソン接合の臨界電流値（Ic）や駆動電圧（Vb）を下げることが消費電力削減のための効果的な手法である。しかしこれらは熱雑音の影響を増加させ、回路の安定性や高速動作性に影響を与える。そこで我々はSFQ回路を低消費電力化した際のセットアップタイムやホールドタイムなどのタイミングパラメータの変化をシミュレーションにより解析した。シミュレーションの条件などから、Icを下げる場合もVbを下げる場合も、タイミングパラメータのばらつきの変化の仕方は同じような結果になると予想されたが、シミュレーションの結果はIcを下げた時よりもVbを下げた時の方がばらつきの値が大きくなった。
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