大会名称 |
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2020年 総合大会 |
大会コ-ド |
2020G |
開催年 |
2020 |
発行日 |
2020-03-03 |
セッション番号 |
C-15 |
セッション名 |
エレクトロニクスシミュレーション |
講演日 |
2020/3/18 |
講演場所(会議室等) |
総合科学部 K棟3F K306講義室 |
講演番号 |
C-15-10 |
タイトル |
InSbを用いたクロスダイポール型THzセンサの性能指数の改善 |
著者名 |
◎中野 純, 柴山 純, 山内潤治, 中野久松, |
キーワード |
InSb, FDTD法, 周期境界条件, 性能指数 |
抄録 |
InSbを用いたクロスダイポール型THzセンサを周期境界条件を適用したFDTD法を用いて解析する.評価法として性能指数(FoM)を用い,クロスダイポールの厚さを変化させた場合のセンシング特性を議論する.厚さを薄くするにつれ,透過スペクトルが狭帯域になることを明らかにする.アルミニウムを用いたセンサと比較し,InSbを用いれば高いFoMの得られることを示す. |
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