大会名称
2020年 総合大会
大会コ-ド
2020G
開催年
2020
発行日
2020-03-03
セッション番号
C-15
セッション名
エレクトロニクスシミュレーション
講演日
2020/3/18
講演場所(会議室等)
総合科学部 K棟3F K306講義室
講演番号
C-15-10
タイトル
InSbを用いたクロスダイポール型THzセンサの性能指数の改善
著者名
◎中野 純柴山 純山内潤治中野久松
キーワード
InSb, FDTD法, 周期境界条件, 性能指数
抄録
InSbを用いたクロスダイポール型THzセンサを周期境界条件を適用したFDTD法を用いて解析する.評価法として性能指数(FoM)を用い,クロスダイポールの厚さを変化させた場合のセンシング特性を議論する.厚さを薄くするにつれ,透過スペクトルが狭帯域になることを明らかにする.アルミニウムを用いたセンサと比較し,InSbを用いれば高いFoMの得られることを示す.
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