| 大会名称 |
|---|
| 2020年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2020G |
| 開催年 |
| 2020 |
| 発行日 |
| 2020-03-03 |
| セッション番号 |
| C-12 |
| セッション名 |
| 集積回路 |
| 講演日 |
| 2020/3/17 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 講義棟１F 115講義室 |
| 講演番号 |
| C-12-11 |
| タイトル |
| ELTの耐放射線性評価と特性換算モデルの検討 |
| 著者名 |
| ◎吉田僚一郎, 安藤 幹, 大島佑太, 鍋屋信介, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田 孝, 石原 昇, 伊藤浩之, |
| キーワード |
| 放射線, TID効果, ELT, 特性モデル |
| 抄録 |
| 宇宙，原子力等の放射線照射環境では放射線による半導体の特性劣化や故障が問題となる．我々は多量の放射線が長期間照射される環境でMOSFETの特性を劣化させるTID効果の対策技術を検討している．TID効果は，電離作用を持つ放射線がゲート酸化膜や素子分離酸化膜(STI)といった酸化物中に電荷を生成・蓄積することでMOSFETの諸特性を劣化させる現象である．本報告では，TID効果の対策の1つとして知られているELTを設計・試作し放射線の影響評価を行った．評価結果よりELTが耐放射線性に優れていることを確認するとともに，ELTを用いる回路設計を可能にするために等価特性モデルを明らかにした． |
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