| 大会名称 |
|---|
| 2020年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2020G |
| 開催年 |
| 2020 |
| 発行日 |
| 2020-03-03 |
| セッション番号 |
| A-1 |
| セッション名 |
| 回路とシステム |
| 講演日 |
| 2020/3/18 |
| 講演場所(会議室等) |
| 総合科学部 K棟２F K206講義室 |
| 講演番号 |
| A-1-7 |
| タイトル |
| GaNスイッチング素子を用いた低ノイズDC/DCコンバータ |
| 著者名 |
| ○村上真一, 山本昭夫, 李 ウェン, |
| キーワード |
| GaN, スイッチング, 低ノイズ |
| 抄録 |
| GaNスイッチング素子を用いた低ノイズDC/DCコンバータを検討した。高速動作時のノイズ低減手法として、2系統のGaNスイッチング素子Q1/Q2及びQ3/Q4をそれぞれ逆位相で制御し(デューティ比50%)、各出力を平滑化した後に合成してDC出力を得ることにより、リンギング及びリップルを打ち消す新たな手法を提案した。提案方式を試作・評価した結果、スイッチング周波数30k～500kHz,出力100V/0.1A動作時において、リンギング1.3Vpp(同位相)→0.4Vpp(逆位相)、リップル98mVpp(同位相)→5mVpp(逆位相) にそれぞれ低減可能であることを確認し、提案方式の有効性を示した。 |
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