| 大会名称 |
|---|
| 2019年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2019S |
| 開催年 |
| 2019 |
| 発行日 |
| 2019/8/27 |
| セッション番号 |
| C-10 |
| セッション名 |
| 電子デバイス |
| 講演日 |
| 2019/9/10 |
| 講演場所(会議室等) |
| A棟 2F Ａ214講義室 |
| 講演番号 |
| C-10-1 |
| タイトル |
| 0.5μmエミッタInP HBTの電流利得劣化について |
| 著者名 |
| ○武藤美和, 栗島賢二, 井田 実, 長谷宗彦, 松崎秀昭, |
| キーワード |
| InP HBT, 電流利得劣化, 信頼性試験 |
| 抄録 |
| 0.5μm InP HBTについて加速試験を実施した。その結果、顕著な劣化を引き起こす（βが35％減少する）劣化モードの活性化エネルギーは1.2eV程度、125℃への外挿寿命は108時間以上であることを確認した。これは、回路の故障を引き起こしうる致命的なβ劣化モードにおいても十分な信頼性を有することを意味している。 |
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