大会名称 |
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2019年 総合大会 |
大会コ-ド |
2019G |
開催年 |
2019 |
発行日 |
2019-03-05 |
セッション番号 |
CI-3 |
セッション名 |
半導体レーザやLEDを用いた光給電技術 |
講演日 |
2019/03/19 |
講演場所(会議室等) |
52号館 201教室 |
講演番号 |
CI-3-6 |
タイトル |
9xxnm帯高出力半導体ブロードエリアレーザダイオードの高効率化に向けた開発状況 |
著者名 |
○山形友二, 貝渕良和, 能川亮三郎, 吉田京平, 山田由美, 山口昌幸, |
キーワード |
半導体レーザ, 高出力レーザ, 高効率レーザ, InGaAs/AlGaAs, 915nm, 976nm |
抄録 |
9xx nm帯のブロードストライプ高出力半導体レーザにおける高効率化の開発状況について報告する。レーザ光出力への高い電力変換効率を達成するために、発熱の原因となる電気抵抗の低減と、しきい値電流に影響する活性層光閉じ込め係数最適化を行った。その結果、新たに設計されたLDは、世界最高レベルのピーク効率72%、20Wの実用出力においても66%の高い変換効率を得ることができた。 |
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