| 大会名称 |
|---|
| 2018年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2018S |
| 開催年 |
| 2018 |
| 発行日 |
| 2018/8/28 |
| セッション番号 |
| C-10 |
| セッション名 |
| 電子デバイス |
| 講演日 |
| 2018/9/13 |
| 講演場所(会議室等) |
| 自然科学本館 2F 208講義室 |
| 講演番号 |
| C-10-1 |
| タイトル |
| サブミリ波ICの高電流容量化に向けた裏面配線プロセス |
| 著者名 |
| ○堤 卓也, 濱田裕史, 杉山弘樹, 松崎秀昭, |
| キーワード |
| InP-HEMT, 裏面プロセス, ミリ波応用 |
| 抄録 |
| 近年サブミリ波を用いた高速無線伝送技術などの発展が著しく，InP-HEMTを集積したSMMIC (SubmiIIimeter-wave monolithic ICs) の研究開発が活発に行われている．これまで我々は，InP 基板の裏面研削（基板薄化）・基板貫通ヴィアの高密度形成からなる裏面プロセスを開発し，基板共振を抑制させることでSMMICの安定動作を実現してきた．今回，裏面プロセスをより高度化させ，SMMICの裏面にDC配線をパタンニングし，トランジスタへのバイアス配線を高電流容量化させる技術を開発したので報告する． |
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