| 大会名称 |
| 2018年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2018S |
| 開催年 |
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2018
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| 発行日 |
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2018/8/28
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| セッション番号 |
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C-4
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| セッション名 |
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レーザ・量子エレクトロニクス
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| 講演日 |
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2018/9/12
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| 講演場所(会議室等) |
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自然科学本館 2F 201講義室
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| 講演番号 |
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C-4-12
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| タイトル |
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キャリア変動による利得特性変化を考慮した電圧変調1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの大信号解析
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| 著者名 |
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◎後藤優征, 吉冨翔一, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久,
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| キーワード |
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トランジスタレーザ, Transistor Laser, 半導体レーザ, 大信号, 利得, 電圧変調
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| 抄録 |
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通信用光源における半導体レーザの変調速度を超える可能性がある素子としてトランジスタレーザ(TL)が提案され、我々は1.3-µm帯での発振を実現してきた。前回、電圧変調動作を想定した大信号特性計算を報告したが、キャリアの変動によるキャリア寿命の変化や非線形な利得特性変化を考慮していなかった。今回は、そのような変化を考慮し、緩和振動の両端面反射率積R1×R2依存性が見られる大信号応答のシミュレーションを行った。
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