| 大会名称 |
| 2018年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2018G |
| 開催年 |
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2018
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| 発行日 |
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| セッション番号 |
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D-6
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| セッション名 |
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コンピュータシステム
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| 講演日 |
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2018/3/20
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| 講演場所(会議室等) |
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５号館 5Ｆ 5503Ｂ教室
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| 講演番号 |
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D-6-3
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| タイトル |
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高速不揮発メモリを用いた階層型ハイブリッドSSDシステム
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| 著者名 |
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◎清水崚平, Hassan Arafat, 上口 光,
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| キーワード |
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ストレージアーキテクチャ, ストレージクラスメモリ, NANDフラッシュメモリ, ソリッドステートドライブ
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| 抄録 |
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今日、ストレージクラスメモリ (SCM) の登場により、従来のメモリ階層に存在していた主記憶装置と補助記憶装置のメモリアクセス速度のギャップが解消されると期待されている。本研究では、高速ストレージ（SSD）を実現するために、NANDフラッシュメモリに加えて、MRAM、FeRAMのような高速不揮発メモリ（Fast NVRAM）と、PCRAM、ReRAMに代表されるSCMを活用した階層型ハイブリッドストレージを提案する。NANDフラッシュメモリとSCMによる２層または３層ハイブリッドSSDにおけるストレージアーキテクチャ及びデータマネジメントアルゴリズムを提案し、各シナリオにおいて、それぞれを比較する。
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