| 大会名称 |
|---|
| 2018年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2018G |
| 開催年 |
| 2018 |
| 発行日 |
| セッション番号 |
| C-3 |
| セッション名 |
| 光エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2018/3/21 |
| 講演場所(会議室等) |
| ５号館 4Ｆ 5403教室 |
| 講演番号 |
| C-3-16 |
| タイトル |
| 光導波路用SiC薄膜におけるアニール昇温時間と膜特性の関係 |
| 著者名 |
| ○新國広幸, 伊藤 浩, |
| キーワード |
| 光導波路, SiC, アニール, 光導波型センサ |
| 抄録 |
| 本研究ではアモルファスSiC薄膜を光導波路として利用するため，薄膜にアニール処理を施すことで膜の透明性の向上を図っている。SiC薄膜はスパッタリング法により作製した。アニール温度を1000 ℃として，アニール昇温時間taと透過率等の膜特性の関係について実験的に考察した。その結果，アニール処理により透過率が50%から70%程度まで，光学バンドギャップが1.88 eVから2.22 eVまで向上し、ta=2min以降はほぼ一定になった。より短時間で、光導波路に適した透明性の高いSiC薄膜を作製できることがわかった。 |
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