| 大会名称 |
|---|
| 2017年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2017S |
| 開催年 |
| 2017 |
| 発行日 |
| セッション番号 |
| CP-1 |
| セッション名 |
| デバイス開発から回路設計にわたる光・マイクロ波シミュレーション技術の現状と展望 |
| 講演日 |
| 2017/9/14 |
| 講演場所(会議室等) |
| 1号館 11F |
| 講演番号 |
| CP-1-6 |
| タイトル |
| 高周波トランジスタ開発におけるプロセス・デバイスシミュレータ応用 |
| 著者名 |
| 瓜生和也, |
| キーワード |
| デバイスシミュレータ, プロセスシミュレータ, GaN HEMT |
| 抄録 |
| プロセス・デバイスシミュレータを用いることで半導体プロセスを計算機上でシミュレーションすることが可能となる。それにより所望の特性を実現するデバイスを短期間で効率的に開発することができる。本講演ではGaN-HEMTの高周波化を題材とし、プロセス・デバイスシミュレータを用いて微細ゲートプロセス開発を行った例を示す。 |
| 本文pdf |
|
PDF download
|