| 大会名称 |
|---|
| 2017年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2017G |
| 開催年 |
| 2017 |
| 発行日 |
| セッション番号 |
| CI-3 |
| セッション名 |
| 5Gにおける無線用途デバイスの現状と展望 |
| 講演日 |
| 2017/3/22 |
| 講演場所(会議室等) |
| 共通講義棟北 N405 |
| 講演番号 |
| CI-3-8 |
| タイトル |
| 5Gを見据えたSi CMOS並びにGaN MMIC技術 |
| 著者名 |
| 川野陽一, 志村利宏, ○佐藤 優, 大橋洋二, 岩井大介, |
| キーワード |
| ミリ波, CMOS, GaN |
| 抄録 |
| 近年，第五世代モバイル通信(5G)や無線モバイルフロントホール，バックホールに対する大容量化の要求が高まっており，数Gbps級の伝送する技術の実現が求められている．通信システムとしては，１対１のFixed Wirelessだけでなくphased Arrayに基づく１対マルチユーザを想定したシステムが予想される．Phased arrayとは，移相器（phase shifter）を有するアンテナをアレイ状に並べて，移相器の位相を制御することで，アンテナビームを所望の方向に向け，且つ，ビームステナをすることが出来るシステムである．波長が短いミリ波を用いると，低周波に比べ小さいアンテナ径で細いアンテナビームを形成することが出来る．Phased array systemを用いことで，その細いビームをステアすることが可能となる．本稿では，ミリ波phased arrayの適用先として，車載レーダ及び5G向けワイヤレス通信の例を示し，ミリ波phased arrayを実現するためのCMOS回路技術を紹介する．また，将来の長距離化を視野に，窒化ガリウム(GaN) HEMTを用いたミリ波パワーアンプ技術に関しても最新の成果を述べる． |
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