| 大会名称 |
| 2017年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2017G |
| 開催年 |
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2017
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| 発行日 |
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| セッション番号 |
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CI-2
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| セッション名 |
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窒化物半導体を用いた新光源とその応用
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| 講演日 |
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2017/3/22
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| 講演場所(会議室等) |
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共通講義棟北 N303
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| 講演番号 |
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CI-2-5
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| タイトル |
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高In組成InGaN量子井戸構造の新奇酸化物基板上への作製
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| 著者名 |
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○川上養一, 尾崎拓也, 船戸 充,
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| キーワード |
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InGaN系発光素子, InリッチInGaN, 発光ダイオード, 新奇基板
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| 抄録 |
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ScAlMgO4は，In0.17Ga0.83Nと格子整合する．したがって，ScAlMgO4基板上にIn0.17Ga0.83N / InxGa1-xN/ In0.17Ga0.83N (x > 0.17)が作製できれば，InxGa1-xN量子井戸における格子不整を低減でき，格子緩和や分極誘起電界の抑制につながると期待される．本研究会では，有機金属気相成長法によるScAlMgO4基板上にInxGa1-xN系エピタキシャル膜の作製，発光ダイオードの試作，高In組成InxGa1-xNへの展開について報告する．
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