| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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BI-2
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| セッション名 |
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IoT時代のEシステム(情報電子電機系)設計を考える
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| 講演日 |
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2016/9/21
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A13
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| 講演番号 |
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BI-2-6
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| タイトル |
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パワーエレクトロニクスとEMC
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| 著者名 |
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井渕貴章,
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| キーワード |
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パワーエレクトロニクス, EMC, ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス
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| 抄録 |
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パワー半導体デバイスのスイッチング動作を用いて電力変換を行うパワーエレクトロニクス機器は，産業用，家庭用問わず様々な分野に広く普及している．省エネルギーや再生可能エネルギーの有効利用の観点から，近年ではSiCやGaNなどのワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの高速・高周波数スイッチング動作による機器のさらなる低損失化・小型化が期待されている．しかし，扱う電圧・電流の大きい電力変換回路においてその時間変化率(di/dt, dv/dt)をさらに大きくすると，考慮すべきEMI(電磁妨害)ノイズの周波数領域がより一層広帯域化し，また回路構成要素が持つ寄生成分との相互作用が一層顕著になる．本稿では，電力変換回路においてノイズ源となるパワー半導体デバイスの動作特性に着目し，パワーエレクトロニクスとEMC(電磁両立性)について述べる．
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