大会名称 |
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2016年 ソサイエティ大会 |
大会コ-ド |
2016S |
開催年 |
2016 |
発行日 |
2016-09-06 |
セッション番号 |
C-13 |
セッション名 |
有機エレクトロニクス |
講演日 |
2016/9/21 |
講演場所(会議室等) |
工学部 P棟 P354 |
講演番号 |
C-13-3 |
タイトル |
斜方蒸着法によるキャリア発生層を有する有機電界効果トランジスタのオンオフ比改善 |
著者名 |
○加藤景三, 田村英継, 新保一成, 馬場 暁, 金子双男, 皆川正寛, |
キーワード |
有機電界効果トランジスタ, 斜方蒸着法, キャリア発生層, 電荷移動錯体, 酸化モリブデン |
抄録 |
本研究では,社宝蒸着法によりキャリア発生層を有する有機電界効果トランジスタにおけるオンオフ比改善について検討した.酸化モリブデン層を斜方蒸着法で成膜した結果,基板角度を大きくすることにより,オンオフ比が改善された.さらに作製条件などを検討することで素子特性の向上が可能であると考えられる. |
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