大会名称 |
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2016年 ソサイエティ大会 |
大会コ-ド |
2016S |
開催年 |
2016 |
発行日 |
2016-09-06 |
セッション番号 |
C-12 |
セッション名 |
集積回路 |
講演日 |
2016/9/22 |
講演場所(会議室等) |
工学部 N棟 N307 |
講演番号 |
C-12-19 |
タイトル |
16-nm FinFETを用いたDouble Pumping型1W1R 2-port SRAMの開発 |
著者名 |
○澤田陽平, 藪内 誠, 森本薫夫, 佐野聡明, 石井雄一郎, 田中信二, 田中美紀, 新居浩二, |
キーワード |
1W1R, 2-port, SRAM, 16-nm, Double Pumping |
抄録 |
16nm FinFETテクノロジを適用し、高速、高密度な1W1R 2-port (2P) SRAMを開発した。提案する1W1R 2P SRAMは6T 1-port (1P) SRAMのビットセルを使用し、1回の外部クロックで内部クロックを2回生成し、2P SRAM動作を実現する。試作設計した256kbマクロは、6.05 Mb/mm2の高密度を実現し、0.8V標準電圧で313psのリードアクセスタイムを実測にて確認できた。 |
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