大会名称
2016年 ソサイエティ大会
大会コ-ド
2016S
開催年
2016
発行日
2016-09-06
セッション番号
C-12
セッション名
集積回路
講演日
2016/9/22
講演場所(会議室等)
工学部 N棟 N307
講演番号
C-12-19
タイトル
16-nm FinFETを用いたDouble Pumping型1W1R 2-port SRAMの開発
著者名
○澤田陽平藪内 誠森本薫夫佐野聡明石井雄一郎田中信二田中美紀新居浩二
キーワード
1W1R, 2-port, SRAM, 16-nm, Double Pumping
抄録
16nm FinFETテクノロジを適用し、高速、高密度な1W1R 2-port (2P) SRAMを開発した。提案する1W1R 2P SRAMは6T 1-port (1P) SRAMのビットセルを使用し、1回の外部クロックで内部クロックを2回生成し、2P SRAM動作を実現する。試作設計した256kbマクロは、6.05 Mb/mm2の高密度を実現し、0.8V標準電圧で313psのリードアクセスタイムを実測にて確認できた。
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