| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-12
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| セッション名 |
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集積回路
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| 講演日 |
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2016/9/22
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 N棟 N307
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| 講演番号 |
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C-12-19
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| タイトル |
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16-nm FinFETを用いたDouble Pumping型1W1R 2-port SRAMの開発
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| 著者名 |
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○澤田陽平, 藪内 誠, 森本薫夫, 佐野聡明, 石井雄一郎, 田中信二, 田中美紀, 新居浩二,
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| キーワード |
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1W1R, 2-port, SRAM, 16-nm, Double Pumping
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| 抄録 |
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16nm FinFETテクノロジを適用し、高速、高密度な1W1R 2-port (2P) SRAMを開発した。提案する1W1R 2P SRAMは6T 1-port (1P) SRAMのビットセルを使用し、1回の外部クロックで内部クロックを2回生成し、2P SRAM動作を実現する。試作設計した256kbマクロは、6.05 Mb/mm2の高密度を実現し、0.8V標準電圧で313psのリードアクセスタイムを実測にて確認できた。
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