| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-10
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| セッション名 |
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電子デバイス/シリコン材料・デバイス
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| 講演日 |
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2016/9/21
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A12
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| 講演番号 |
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C-10-14
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| タイトル |
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Si基板中RFリーク電流の温度特性を考慮したGaN-on-Siの大信号モデル
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| 著者名 |
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◎山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中宏治, 大石敏之,
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| キーワード |
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GAN, HEMT, MODELING
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| 抄録 |
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近年，高出力かつ高効率といったGaNの優れた特性を活かしつつ，低コスト化を目指すため，GaN HEMTon Si（以下，GaN-on-Siと略す）の研究が行われている．しかし,GaN-on-Si増幅器の高出力化，高効率化には課題があり，その一つがSi基板中キャリアによって生じるSi基板中RFリーク電流である．Si基板の導電性を考慮した小信号等価回路モデルはすでに報告されている．しかしSi基板中のRFリーク電流を物理的に考慮した大信号モデルはほとんど報告されておらず,さらにリークの温度特性まで考慮したモデルの報告もほとんどない．Si基板中RFリーク電力の温度依存性考慮したGaN-on-Siの大信号モデルについて報告する．
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