| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-10 |
| セッション名 |
| 電子デバイス/シリコン材料・デバイス |
| 講演日 |
| 2016/9/21 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 情報科学研究科棟 A12 |
| 講演番号 |
| C-10-6 |
| タイトル |
| 傾斜型フィールドプレートを有する InGaAs HEMT の寄生容量抽出 |
| 著者名 |
| ◎細谷友崇, 尾辻泰一, 末光哲也, |
| キーワード |
| InGaAs HEMT, フィールドプレート, 遅延時間解析, 寄生容量 |
| 抄録 |
| InGaAs系HEMTは高速ながらも耐圧は低い。そこで、ゲート電極に傾斜型フィールドプレート(FP)を採用し、デバイスのドレイン-ソース耐圧を高める手法が知られているが、電流利得遮断周波数(fT)は低下してしまう。本研究では、FPを有するInGaAs HEMTの速度律速要因として、寄生容量CGS,pを抽出した。その結果、2-step型FPにてCGS,pが大きく増加した。また、ゲート長を短くすると、1-step型FP、10-step型FP及びFP無しデバイスにおいて、CGS,pの差異が減少することが分かった。2-step型FPはゲート底部が他のものと比べて広く、CGS,pが増加したと考えられる。 |
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