| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-8 |
| セッション名 |
| 超伝導エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/9/20 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 情報科学研究科棟 A22 |
| 講演番号 |
| C-8-9 |
| タイトル |
| 外部磁界によるジョセフソン電流の磁界変調特性 |
| 著者名 |
| ◎鈴木敦之, 阿部 晋, 中山明芳, |
| キーワード |
| ジョセフソン効果, 外部磁界, 超伝導電流 |
| 抄録 |
| ジョセフソン素子の成膜はDCマグネトロンスパッタ装置を用いて作製を行っている。Si基板の上にBase Nb(200nm)、Al/AlOx、Counter Nb(50nm)を成膜し、フォトリソグラフィーによるパターン生成後Base Nbに達するまで陽極酸化を行い、正方形等の接合形状を決める。トンネルバリアのAlOx酸化膜は、Al成膜後に大気圧の純酸素中に30分間置くことで形成している。その後、Wiring Nbを成膜し、ボンディング用のパターンをフォトリソグラフィーにより生成し、余分なNbはケミカルエッチングで削り取る。さらに、この素子の接合平面に平行な磁界、垂直な磁界を印加することにより接合を流れる超伝導電流Icの変調を調べている。 |
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