| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-4 |
| セッション名 |
| レーザ・量子エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/9/22 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C213 |
| 講演番号 |
| C-4-22 |
| タイトル |
| シリコンフォトニック波長可変レーザの広波長帯域化 |
| 著者名 |
| ○北 智洋, |
| キーワード |
| 波長可変レーザ, シリコンフォトニクス |
| 抄録 |
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シリコンフォトニクスは、成熟したCMOSプロセスを利用して小型、高機能な光デバイスを安価に生産する技術として注目を集めており、光インターコネクト、長距離光通信の分野での応用を目指して盛んに研究されている。我々は、これまでに大容量光通信の分野で実用化の進んでいるデジタル・コヒーレント光通信システムでの使用を目的としてシリコンフォトニクスを用いて作製した狭スペクトル線幅波長可変レーザの開発を進めてきた。さらに最近では、新たな光周波数資源を開拓するために、より広い波長範囲もカバーする広波長帯域可変レーザを開発している。図1に示すようにこれまでにCバンド及びLバンドをカバーする約100 nmの波長範囲をカバーする波長可変レーザ、量子ドットをゲインチップとする事で1.2 m帯において44 nmの波長可変範囲を有するレーザの開発に成功してきた。 本稿では、光通信だけでなくOCT光源といった医療分野での応用も期待される1.3 m帯において広い波長可変範囲を有するレーザを開発する試みに関して報告する。 |
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