| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-4 |
| セッション名 |
| レーザ・量子エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/9/20 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C214 |
| 講演番号 |
| C-4-1 |
| タイトル |
| AlGaN系深紫外LEDの進展と展望 |
| 著者名 |
| ○平山秀樹, 高野隆好, 阪井 淳, 美濃卓哉, 椿 健治, 定 昌史, 前田哲利, 大島一晟, 松本卓磨, 鎌田憲彦, 鹿嶋行雄, 松浦恵里子, |
| キーワード |
| 深紫外LED, 窒化物半導体, 結晶成長 |
| 抄録 |
| 深紫外LEDは、殺菌、浄水、空気浄化、皮膚治療などの医療、病院の院内感染防止、農作物の病害防止、生化学産業、樹脂硬化と形成、印刷・塗装、コーティングなどの幅広い応用分野で実用化が期待されている。本研究では、深紫外LEDの光取出し効率の向上のために、透明p-AlGaNコンタクト層と高反射p型電極を深紫外LEDに導入し、光取出し効率向上により外部量子効率10.8％の高効率動作を実現した。今後、深紫外LEDは、光取出し効率の向上とともに高効率動作が可能になると考えられ、殺菌を中心とした応用分野への展開が期待される。 |
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