大会名称 |
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2016年 ソサイエティ大会 |
大会コ-ド |
2016S |
開催年 |
2016 |
発行日 |
2016-09-06 |
セッション番号 |
C-2A |
セッション名 |
マイクロ波A |
講演日 |
2016/9/20 |
講演場所(会議室等) |
工学部 情報科学研究科棟 A31 |
講演番号 |
C-2-15 |
タイトル |
直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10 W級GaN MMIC高効率増幅器 |
著者名 |
○桑田英悟, 杉本篤生, 小山英寿, 二宮 大, 山中宏治, |
キーワード |
増幅器, 広帯域, 高出力, 高効率, MMIC, GaN HEMT |
抄録 |
近年GaAs HEMTより動作電圧が高く電力密度が高いGaN HEMTが登場し,高出力増幅器の更なる高出力化が進められている.しかし高電圧化による高出力化は特に多段増幅器の段間整合回路の狭帯域化を招く.本稿では,2016信学総大で提案したプリマッチ回路を適用して試作したC-Ku帯10W級GaN MMIC高効率増幅器の試作,評価結果について報告する. |
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