大会名称 |
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2016年 ソサイエティ大会 |
大会コ-ド |
2016S |
開催年 |
2016 |
発行日 |
2016-09-06 |
セッション番号 |
C-2A |
セッション名 |
マイクロ波A |
講演日 |
2016/9/20 |
講演場所(会議室等) |
工学部 情報科学研究科棟 A31 |
講演番号 |
C-2-14 |
タイトル |
W帯InAlGaN/GaN HEMT MMIC電力増幅器の開発 |
著者名 |
◎新井田佳孝, 鎌田陽一, 多木俊裕, 尾崎史朗, 牧山剛三, 美濃浦優一, 岡本直哉, 佐藤 優, 常信和清, |
キーワード |
GaN, HEMT, W帯, MMIC |
抄録 |
本発表では高出力・低コラプス動作が可能なInAlGaN/GaN HEMTを用い作製したW帯高出力電力増幅器を紹介する.低ロス段間整合回路を用いて作製した90 GHz帯InAlGaN/GaN MMIC PA をLange Coupler電力合成回路により合成し,高出力化を図った.試作したMMIC PAは94 GHzにおいて出力電力1.6 W,線形利得14.0 dBとなり,出力密度2.5 W/mmとなった.また,88—98 GHzの周波数において出力電力が1 W以上となった. |
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