| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-2A |
| セッション名 |
| マイクロ波A |
| 講演日 |
| 2016/9/20 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 情報科学研究科棟 A31 |
| 講演番号 |
| C-2-14 |
| タイトル |
| W帯InAlGaN/GaN HEMT MMIC電力増幅器の開発 |
| 著者名 |
| ◎新井田佳孝, 鎌田陽一, 多木俊裕, 尾崎史朗, 牧山剛三, 美濃浦優一, 岡本直哉, 佐藤 優, 常信和清, |
| キーワード |
| GaN, HEMT, W帯, MMIC |
| 抄録 |
| 本発表では高出力・低コラプス動作が可能なInAlGaN/GaN HEMTを用い作製したW帯高出力電力増幅器を紹介する．低ロス段間整合回路を用いて作製した90 GHz帯InAlGaN/GaN MMIC PA をLange Coupler電力合成回路により合成し，高出力化を図った．試作したMMIC PAは94 GHzにおいて出力電力1.6 W，線形利得14.0 dBとなり，出力密度2.5 W/mmとなった．また，88—98 GHzの周波数において出力電力が1 W以上となった． |
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