| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| B-10B |
| セッション名 |
| 光通信システムB |
| 講演日 |
| 2016/9/20 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 材料・化学系棟 204 |
| 講演番号 |
| B-10-29 |
| タイトル |
| III-V化合物半導体光アイソレータの小型化に向けたAlInAs酸化クラッド層の形成 |
| 著者名 |
| ◎長島凛太郎, 庄司雄哉, 水本哲弥, |
| キーワード |
| 光アイソレータ, III-V族化合物半導体 |
| 抄録 |
| 半導体レーザや光増幅器といった光能動素子の安定動作のため,光を一方向に伝達し逆方向の伝搬を阻止する素子である光アイソレータが必要となる.特に,光回路の集積化に向け導波路型の光アイソレータが必要である.これまでにIII-V族化合物半導体を用いた干渉導波路型光アイソレータが製作され良好な特性が得られているが,大型であり一体集積には小型化が必要である.本研究では,素子長の原因となるコア・クラッド間の低屈折率差に着目し,酸化による低屈折率化を検討した.酸化が容易なAlInAs層と,酸化しないInP層を交互に堆積させたマルチレイヤを下クラッド層に採用しMZIを製作したところ,酸化による群屈折率の変化を観測した. |
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