| 大会名称 |
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
|
2016
|
| 発行日 |
|
2016/3/1
|
| セッション番号 |
|
C-8
|
| セッション名 |
|
超伝導エレクトロニクス
|
| 講演日 |
|
2016/3/15
|
| 講演場所(会議室等) |
|
センター2号館 2F 2205
|
| 講演番号 |
|
C-8-9
|
| タイトル |
|
0.6mW,1K bit低消費電力磁束遷移メモリの設計
|
| 著者名 |
|
◎大内朋也, 幸村勇人, 谷口壮耶, 田中雅光, 藤巻 朗,
|
| キーワード |
|
VTM, RAM, 磁束遷移メモリ
|
| 抄録 |
|
大容量かつ低消費電力で動作する超伝導ランダムアクセスメモリ（RAM）の不足が、超伝導ディジタル回路システムの発展をさまたげる要因となっている。本研究では、現時点で最も動作実績のある磁束遷移メモリ（VTM）[1]の消費電力の削減を目的とした。メモリシステム全体の構成を考えた際、記憶セル自身は電力を消費しないため、大容量化に伴い周辺回路の消費電力の増大が課題となる。特に、デコーダ回路の消費電力がメモリシステム全体の約2/3を占めている。本稿では1K bitの容量を持つ超伝導RAMの低消費電力化に向けて周辺回路の消費電力の削減を行った。
|
| 本文pdf |
|
PDF download
|
