大会名称
2016年 総合大会
大会コ-ド
2016G
開催年
2016
発行日
2016/3/1
セッション番号
C-8
セッション名
超伝導エレクトロニクス
講演日
2016/3/15
講演場所(会議室等)
センター2号館 2F 2205
講演番号
C-8-8
タイトル
アンシャント接合を用いた低電圧単一磁束量子回路のエネルギー効率の評価
著者名
◎畑中湧貴佐藤 諒田中雅光藤巻 朗
キーワード
単一磁束量子, LV-RSFQ, アンシャント接合
抄録
単一磁束量子回路のさらなる低消費電力化のため我々は低電圧駆動単一磁束量子(LV-RSFQ)回路の研究に取り組んでいる。バイアス電圧を十分下げることにより、この回路はジョセフソン接合からシャント抵抗を取り除いたアンシャント接合でも動作することが先行研究により実証されている。本稿では、シャント抵抗を用いたジョセフソン接合からなる通常のLV-RSFQ回路と、シャント抵抗を用いていないアンシャント接合からなる回路エネルギー効を、数値計算により比較した結果を報告する。
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