| 大会名称 |
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016/3/1
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| セッション番号 |
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C-4
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| セッション名 |
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レーザ・量子エレクトロニクス
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| 講演日 |
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2016/3/17
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| 講演場所(会議室等) |
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センター2号館 2F 2201
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| 講演番号 |
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C-4-21
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| タイトル |
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VCSEL 光閉じ込めに向けた量子井戸混晶化による屈折率制御
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| 著者名 |
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○齋藤 季, 森脇翔平, 宮本智之,
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| キーワード |
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面発光レーザ, VCSEL, 量子井戸混晶化, 光閉じ込め
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| 抄録 |
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本研究は量子井戸混晶化(QWI)を用いたVCSELの光閉じ込めを目指し，QWIによる屈折率変化の理論解析を行った．1μm帯GaInAs/GaAsの吸収スペクトル変化にKramers-Kronig変換を適用し，屈折率変化を理論解析した．今回の解析条件範囲でQWIによって1％程度の屈折率変化が期待できる．QWIによる屈折率変化は選択酸化を用いたものより小さいが，量子井戸構造の選択と拡散長の適切な制御により光散乱の小さな屈折率構造が形成でき，VCSELの活性層やDBR内における光閉じ込めとともに，多様なデバイスへの適用が期待できる．
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