| 大会名称 |
|---|
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016/3/1 |
| セッション番号 |
| C-3 |
| セッション名 |
| 光エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/3/16 |
| 講演場所(会議室等) |
| センター2号館 2F 2207 |
| 講演番号 |
| C-3-20 |
| タイトル |
| CMOS互換SiN導波路を用いたSi細線導波路用低損失ファイバ結合構造の設計 |
| 著者名 |
| ◎前神有里子, 岡野 誠, 叢 光偉, 大野守史, 山田浩治, |
| キーワード |
| シリコンフォトニクス, ファイバ結合 |
| 抄録 |
| Siフォトニクスで用いられるSi細線導波路は光のモードフィールドが非常に小さく、光ファイバとの接続にはスポットサイズ変換構造を含む低損失結合構造が必要である。従来の結合構造としては、Si細線導波路逆テーパとコア径の大きなSiOxやSiON導波路を用いた二重コア構造が提案され、1 dB以下の結合損失が得られている。しかしながら、この構造ではコア径が数μmのSiOx/SiON導波路の形成に厚膜加工プロセスを必要とし、通常のCMOSプロセスでの作製は困難であった。そこで本研究では、通常のCMOSプロセスに整合した窒化珪素(SiN)薄膜を用いたファイバ結合構造を提案し、その基本設計を行ったので報告する。 |
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