| 大会名称 |
|---|
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016/3/1 |
| セッション番号 |
| BS-5 |
| セッション名 |
| 次世代パワーデバイス活用に向けた電力変換技術及び周辺回路技術 |
| 講演日 |
| 2016/3/18 |
| 講演場所(会議室等) |
| センター2号館 3F 2310 |
| 講演番号 |
| BS-5-5 |
| タイトル |
| GaNパワーデバイスの電力変換装置への適用に関する検討 |
| 著者名 |
| ◎小林由布子, 中村俊和, Wu YiFeng, Huang Zan, Wang Zhan, |
| キーワード |
| GaN, GaN on Si, パワーデバイス, カスコード |
| 抄録 |
| 窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは現行のシリコン（Si）のパワーデバイスに比べて、大幅な低消費電力化と小型化を同時に実現できるため、大いに期待されている。TransphormのGaNパワーデバイスは既に量産されており、“現世代”デバイスになっている。 GaNパワーデバイスの特徴、現行のSi MOSFETとの比較データや、信頼性・量産状況などを発表する。 |
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