| 大会名称 |
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016/3/1
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| セッション番号 |
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BS-5
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| セッション名 |
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次世代パワーデバイス活用に向けた電力変換技術及び周辺回路技術
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| 講演日 |
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2016/3/18
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| 講演場所(会議室等) |
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センター2号館 3F 2310
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| 講演番号 |
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BS-5-2
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| タイトル |
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宇宙における次世代パワーデバイスの活用
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| 著者名 |
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○水田栄一, 仲田祐希, 鈴木浩一,
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| キーワード |
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パワーデバイス, MOSFET, SiC, GaN
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| 抄録 |
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SiCやGaN等の次世代パワーデバイスは、将来の宇宙分野における活用が期待されている。SiCやGaNが使用可能となると、人工衛星やロケット等に搭載されている機器の大幅な小型軽量化、低消費電力化が進み、大きなメリットとなる。現時点では、通信用で次世代パワーデバイスの活用が先行しており、GaN HEMTが既に人工衛星に搭載されている。パワー用については、通信用に比べて使用条件が厳しいことからまだ初期評価段階であり、民生品の放射線耐性評価などが行われている。SiCデバイスは放射線(SEE)耐性が著しく低いという結果となっており、GaNデバイスについては比較的良好な結果が得られている。今後は主にGaNデバイスを宇宙で活用するべく検討を進めていく予定である。
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