| 大会名称 |
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016/3/1
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| セッション番号 |
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BS-5
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| セッション名 |
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次世代パワーデバイス活用に向けた電力変換技術及び周辺回路技術
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| 講演日 |
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2016/3/18
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| 講演場所(会議室等) |
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センター2号館 3F 2310
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| 講演番号 |
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BS-5-1
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| タイトル |
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ドレインホール注入型GaN-GIT構造による電流コラプスフリーとその連続動作評価手法の開発
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| 著者名 |
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○黒田正行, 柳原 学, 金子佐一郎, 井腰文智, 大来英之, 引田正洋, 上本康裕, 高橋 理, 森田竜夫, 田中健一郎, 上田哲三,
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| キーワード |
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GaN, GIT, 電流コラプス, DOPL, 信頼性
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| 抄録 |
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従来のGaNパワーデバイスで大きな課題となっていた電流コラプスを解決する新技術を開発した。電流コラプスは、電子がゲート‐ドレイン間にトラップされることで起こるが、新技術ではドレイン近傍に配置したp-GaNから電子と再結合するホールを注入し、電子をトラップから解放する。本技術をGaN-GIT(Gate Injection Transistor)に適用した結果、850Vまでの完全な電流コラプスフリー特性を得た。また、実際のユースケースを想定したダイナミックなスイッチング動作試験も実施し、製品としてユーザーの信頼に十分適うデバイスであることを確認した。
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