| 大会名称 |
|---|
| 2016年 総合大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016G |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016/3/1 |
| セッション番号 |
| A-6 |
| セッション名 |
| VLSI設計技術 |
| 講演日 |
| 2016/3/17 |
| 講演場所(会議室等) |
| センター2号館 1F 2104 |
| 講演番号 |
| A-6-12 |
| タイトル |
| 半正定値計画緩和に基づくMPLレイアウト分割のための補正項 |
| 著者名 |
| ○半田昌平, 高橋篤司, 中田和秀, 松井知己, |
| キーワード |
| 半正定値計画緩和, MPL, レイアウト分割, リソグラフィー |
| 抄録 |
| マルチパターニングリソグラフィ(MPL)では，1回の露光でウエハ上に実現できる限界未満のレイアウト密度を，複数回の露光により達成する． このとき，ポリゴンの集合は各露光で実現される距離が小さく同時に実現できないポリゴン対（違反）を含んではならないが，レイアウト設計段階では，指定分割数で，違反がより少ない分割を得ることが求められる. 先行研究では，半正定値計画(SDP)緩和によりポリゴンを超球面上へ配置し，超球面を確率的丸め法(RR)で分割することで,この分割を得る. しかし, 一般的なSDPソルバでは，違反を持たない対は超球面上で離れて配置され，違反が十分少ない分割が，RRで得られない傾向があった． 本稿では，RRにより得られる分割で違反を減少させるために，違反を持たない対の超球面上での距離を減少させる補正項を, SDP 緩和の目的関数に加える方法を提案する． |
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