| 講演番号 |
題目/著者 |
| C-2-1 | GaN基板上GaN-HEMTによる電流コラプス抑制とパワー特性改善
◎熊崎祐介, 多木俊裕, 小谷淳二, 尾崎史朗, 新井田佳孝, 美濃浦優一, 岡本直哉, 中村哲一, 渡部慶二, |
| C-2-10 | 直列共振コイル装荷による倍電圧整流器の高感度化の検討
◎大野 桂, 田中愼一, |
| C-2-11 | マイクロワット・レクテナ最適回路トポロジーの出力電圧電流平面へのマッピング
◎田渕侑幹, 丹沢 徹, |
| C-2-12 | AMC基板上に配置したレクテナ用折り返しダイポールアンテナのインピーダンス解析
◎安丸暢彦, 伊東健治, 田村俊樹, 坂井尚貴, 牧野 滋, |
| C-2-13 | 高調波処理FDAを用いるレクテナの高調波ソースプル特性
◎麦谷彰彦, 廣野敦哉, 坂井尚貴, 伊東健治, |
| C-2-14 | 2.4GHz帯10W高効率ブリッジ整流器
◎桔川洸一, 伊東健治, 坂井尚貴, |
| C-2-15 | E-PHEMTダイオードを用いる5.8GHz帯倍電圧整流器MMIC
◎小松郁弥, 伊東健治, 坂井尚貴, |
| C-2-16 | １８０°広帯域移相器を備えたK帯仮想接地型並列ダイオードリニアライザ
○河村由文, 二宮 大, 半谷政毅, 新庄真太郎, |
| C-2-17 | 2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果
◎横溝真也, 津留正臣, |
| C-2-18 | 1ポートデエンベディング手法の比較
○片山光亮, 馬場孝明, 大澤 隆, |
| C-2-2 | SiCおよびGaN基板上のAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較
○森脇 淳, 原 信二, |
| C-2-3 | 整合回路レスパワーアンプ設計の検討
○原 信二, |
| C-2-4 | 800MHz帯で動作するD級電力増幅器を用いた2値直交変調型EPWM送信機
◎澤山太志, 楳田洋太郎, 高野恭弥, |
| C-2-5 | 1ポートCRLH線路で構成される高調波処理回路を用いた2GHz帯GaN HEMT R級高出力増幅器
◎飯坂尚章, 田中愼一, |
| C-2-6 | デュアルモードバイアス回路を備えた0.85-2.05GHz帯および2.4-4.2GHz帯GaNドハティ増幅器
○小松崎優治, 馬 瑞, 坂田修一, 中谷圭吾, 新庄真太郎, |
| C-2-7 | 70W級高効率X帯GaN MMIC高出力増幅器
○神岡 純, 垂井幸宣, 加茂宣卓, 新庄真太郎, |
| C-2-8 | 5G向け26-30GHz帯広帯域高効率GaNドハティ増幅器
○山口裕太郎, 中谷圭吾, 新庄真太郎, |
| C-2-9 | 5G/SATCOM向けKa帯15W出力30% PAE広帯域GaN増幅器MMIC
○中谷圭吾, 山口裕太郎, 小松崎優治, 新庄真太郎, |
