エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2002/11/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/11/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/11/6
[資料番号]
スパッタ法によるTaN抵抗体薄膜と電極との接触抵抗

小畑 元樹,  作田 輝之,  林部 林平,  上村 喜一,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-112
CS_2ガスを用いた反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の組成制御

計良 忍,  小林 敏志,  坪井 望,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-113
スパッタ堆積後熱処理によるSrAl_2O_4薄膜の特性制御

石井 岳志,  池田 倫秋,  清水 英彦,  丸山 武男,  岩野 春男,  加藤 景三,  太田 雅壽,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-114
対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCuAlO_2薄膜の作製と評価

伊藤 雄二,  高橋 良和,  坪井 望,  小林 敏志,  清水 英彦,  加藤 景三,  金子 双男,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-115
スパッタによる伝導性Re酸化物薄膜の作製

大久保 学,  深井 久美子,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-116
ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果

加藤 博臣,  星 陽一,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-117
反応性スパッタリングによるアナターゼ光触媒薄膜形成におけるスパッタガス圧の影響

成岡 友彦,  百瀬 智明,  番場 教子,  深海 龍夫,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-118
ATR法を用いた金属スパッタ薄膜の特性評価

佐藤 豪男,  渡辺 隼人,  小熊 康平,  清水 英彦,  丸山 武男,  金子 双男,  川上 貴浩,  岩野 春男,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-119
Application of Ta_2O_5 based composites as a gate dielectric

Salam K. M. A.,  福田 永,  野村 滋,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-120
蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製

森谷 克彦,  土田 宗和,  片桐 裕則,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-121
高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性

岡上 久美,  石田 弘樹,  川上 彰,  王 鎮,  濱崎 勝義,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-122
(Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長

M.M. ラーマン,  車谷 健太郎,  丹保 豊和,  龍山 智栄,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-123
Cat-CVD法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展

増田 淳,  松村 英樹,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-124
MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価

原島 正幸,  成田 克,  安井 寛治,  赤羽 正志,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-125
Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長

石橋 充好,  金内 海,  安井 寛治,  赤羽 正志,  

[発表日]2002/11/6
[資料番号]CPM2002-126
[OTHERS]

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[発表日]2002/11/6
[資料番号]